RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
51
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2548
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link