RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2548
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link