RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3519
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link