RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
18.6
Скорость записи, Гб/сек
6.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3519
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link