RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3164
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link