RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
374
Wokół strony 89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
0.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
374
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
0.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
1.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
269
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link