RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
57
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
57
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2213
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link