RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
57
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.7
9.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
57
Velocità di lettura, GB/s
9.7
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2213
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link