RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2936
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link