RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2417
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link