RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
58
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
58
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2172
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link