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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
58
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
58
读取速度,GB/s
9.7
9.7
写入速度,GB/s
6.0
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2172
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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