RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
42
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
41
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2062
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.Y16F 1GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link