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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
42
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
42
41
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2062
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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