RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
96
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
96
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1211
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link