RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
52
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link