RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link