RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB

Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 52
    Около 54% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.7
    Среднее значение в тестах
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB Причины выбрать
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 52
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2625

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
модули RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
модули RAM
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
модули RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
модули RAM