RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2987
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link