RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2322
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link