RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1989
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link