RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1989
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link