RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
66
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
66
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1699
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link