RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
66
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
66
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
6.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
1699
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link