RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2240
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link