RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
42
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3432
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link