RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
55
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
55
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2232
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link