Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Unterschiede

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    38 left arrow 55
    Rund um 31% geringere Latenzzeit
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 3.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    38 left arrow 55
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 10.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    3.0 left arrow 7.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    915 left arrow 2232
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche