RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
55
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
55
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
2232
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link