Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 55

Около 31% меньшая задержка

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

10 7.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.8 3.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 55
Скорость чтения, Гб/сек

7.2 10.0
Скорость записи, Гб/сек

3.0 7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

915 2232

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Kingston 9905701-006.A00G 16GB

Kingston 9905701-006.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

модули RAM

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingston 9905663-007.A00G 16GB

Kingston 9905663-007.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB

Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB

модули RAM