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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
55
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
55
读取速度,GB/s
7.2
10.0
写入速度,GB/s
3.0
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2232
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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