RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2079
2336
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link