RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3784
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link