RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3784
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link