RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3784
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link