RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3539
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link