RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
82
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
82
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1930
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link