RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
21.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3788
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link