RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3972
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link