RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3857
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link