RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2445
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link