RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3628
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link