RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3657
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link