RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2254
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link