RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
67
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
67
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2042
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link