RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3246
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link