RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3033
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link