RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2068
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link