RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
101
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
101
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1382
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link