RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
42
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2525
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link