RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
57
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
57
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2276
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link