RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2154
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link