RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3311
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link