RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3112
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link