RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3112
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link